Verfahren zur Verbesserten Oxidation von Mos-Transistor-Gate-Ecken
EP1382064
Art A2
21. Januar 2004
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1382064
- Aktenzeichen
- EP01987463
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3205H01L21/31H01L21/28H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Vertreten von
Litherland, David Peter
Winchester, Großbritannien
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