Verbessertes Verfahren zur Herstellung für Getrennte Mram Strukturen
EP1382067
Art A2
21. Januar 2004
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1382067
- Aktenzeichen
- EP02736615
- Anmeldetag
- 26. April 2002
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8246H01L27/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Collins, John David
London, Großbritannien
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