Doppelt Diffundierter Feldeffekttransistor mit Verringertem On-Widerstand

EP1382071 Art B1 10. Juli 2013

Anmelder: GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1382071
Aktenzeichen
EP02725313
Anmeldetag
21. März 2002
Veröffentlichung
10. Juli 2013
Erteilung
10. Juli 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/08H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Jungblut, Bernhard Jakob Berlin, Deutschland
438
Patente gesamt
29
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Pharma & Biotechnologie Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Organische Chemie Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen