FIN-Feldeffekttransistor-Anordnung und Herstellungsverfahren dafür

EP1383166 Art A3 11. Oktober 2006

Anmelder: IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1383166
Aktenzeichen
EP03447182
Anmeldetag
9. Juli 2003
Veröffentlichung
11. Oktober 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/423H01L27/12H01L29/78H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC)
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen