Verfahren zur Herstellung eines Gruppe III-Nitrid-Halbleiterkristalls

EP1385196 Art A3 25. Oktober 2006

Anmelder: TOYODA GOSEI CO., LTD., Toyoda Gosei Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1385196
Aktenzeichen: EP03016327
Anmeldetag: 18. Juli 2003
Veröffentlichung: 25. Oktober 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOYODA GOSEI CO., LTD.
Toyoda Gosei Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyoda Gosei

Toyoda Gosei ist ein japanischer Automobilzulieferer aus der Toyota-Unternehmensgruppe mit Schwerpunkt auf Gummi-, Kunststoff- und LED-Komponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Fahrzeugtechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Kunststofftechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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