Mosfet-Antifusestruktur und deren Herstellungsverfahren
EP1385211
Art A1
28. Januar 2004
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1385211
- Aktenzeichen
- EP03016223
- Anmeldetag
- 17. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/112H01L23/525H01L29/66H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Vertreten von
Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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