Herstellungsverfahren einer Halbleiterschicht mit nicht angepasstem Gitter

EP1386348 Art B9 4. Juli 2012

Anmelder: Innolume GmbH, NL NANOSEMICONDUCTOR GMBH, Ledentsov, Nikolai Nikolaevich 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1386348
Aktenzeichen
EP02750893
Anmeldetag
7. Mai 2002
Veröffentlichung
4. Juli 2012
Erteilung
4. Juli 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20H01L21/308
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Innolume GmbH
NL NANOSEMICONDUCTOR GMBH
Ledentsov, Nikolai Nikolaevich
Land
🇩🇪 Deutschland

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