Halbleiteranordnungen mit Graben-Gateelektrode und Verfahren zu deren Herstellung
EP1386352
Art B1
4. April 2007
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1386352
- Aktenzeichen
- EP02724526
- Anmeldetag
- 25. April 2002
- Veröffentlichung
- 4. April 2007
- Erteilung
- 4. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
White, Andrew Gordon
Eindhoven, Niederlande
1.503
Patente gesamt
24
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew G
NoneRedhill
-
Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven