Halbleitergehäuse

EP1387403 Art A3 24. Mai 2006

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1387403
Aktenzeichen
EP03002080
Anmeldetag
30. Januar 2003
Veröffentlichung
24. Mai 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/498H01L23/538H01L25/065
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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