Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
EP1388166
Art B1
30. März 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1388166
- Aktenzeichen
- EP02737947
- Anmeldetag
- 11. April 2002
- Veröffentlichung
- 30. März 2005
- Erteilung
- 30. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/321H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
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