Bonddrahtsabstimmung von Rf Leistungstransistoren und Rf Leistungsverstärkern
EP1388170
Art A2
11. Februar 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1388170
- Aktenzeichen
- EP02721613
- Anmeldetag
- 19. März 2002
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/64H01L23/66H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
141
Patente gesamt
23
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte