System zur Wärmebehandlung von Halbleiter

EP1388891 Art B1 5. Oktober 2011

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1388891
Aktenzeichen
EP02705102
Anmeldetag
13. März 2002
Veröffentlichung
5. Oktober 2011
Erteilung
5. Oktober 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/00C23C16/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land
🇯🇵 Japan

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Gleiss, Alf-Olav Stuttgart, Deutschland
418
Patente gesamt
30
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Medizintechnik & Gesundheit Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Maschinenelemente & Fluidtechnik Verpackungs- & Fördertechnik
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