Verfahren zur Verbesserung eines Halbleitersubstrats mit einer SiGe Schicht und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung

EP1391937 Art A3 14. Juni 2006

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1391937
Aktenzeichen: EP03018848
Anmeldetag: 19. August 2003
Veröffentlichung: 14. Juni 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/10H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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