Verfahren zur Herstellung eines Graben-Gate-Feldeffekttransistors
EP1391939
Art B1
9. Februar 2011
Anmelder: Sony Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1391939
- Aktenzeichen
- EP02778905
- Anmeldetag
- 16. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 9. Februar 2011
- Erteilung
- 9. Februar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sony Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
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Fachgebiete
Vertreten von
Müller, Frithjof E., Dipl.-Ing
München, Deutschland
318
Patente gesamt
27
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Müller Hoffmann & Partner
Müller Hoffmann & Partner · München