Quellenreagenszusammensetzung zur Cvd-Bildung von Zr/hf-Dotierten Gatedielektrischen Metalloxiddünnfilmen mit Hoher Dielektrizitätskonstante und Verfahren zur Verwendung Derselben
EP1392462
Art A2
3. März 2004
Anmelder: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1392462
- Aktenzeichen
- EP02719015
- Anmeldetag
- 19. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 3. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C07F7/00C23C16/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Technology Materials
Der Anmelder ist ein US-amerikanischer Hersteller von Spezialchemikalien und Materialien für die Halbleiterindustrie, bekannt als ATMI, inzwischen Teil von Entegris. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Verfahrens- und Trenntechnik, Metallurgie und Verpackungstechnik. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.
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Fachgebiete
Kanzlei
Kanzlei Huber & Schüssler
München, Deutschland
1996 von Dr. Bernard Huber und Dr. Andrea Schüssler gegründete Patentanwaltskanzlei mit Sitz in München, berät umfassend zu Patenten, Marken, Designschutz und Urheberrecht.
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