Verfahren zur Abscheidung von Dotiertem Silicium in einer Kammer für Einzelne Halbleiterscheiben mit Widerstandsheizung
EP1393358
Art A1
3. März 2004
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1393358
- Aktenzeichen
- EP02736753
- Anmeldetag
- 9. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 3. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Bayliss, Geoffrey Cyril
London, Großbritannien
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