Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Graben-Gate
EP1393362
Art B1
14. Dezember 2011
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1393362
- Aktenzeichen
- EP02727822
- Anmeldetag
- 25. April 2002
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2011
- Erteilung
- 14. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/331H01L21/338// H01L29/78H01L29/423H01L29/417H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
White, Andrew G
NoneRedhill
-
Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven