Vorläuferverbindung enthaltend eine an HfCl4 gebundene Stickstoffverbindung für die Ausbildung einer Hafniumoxidschicht und Verfahren zur Bildung der Hafniumoxidschicht unter Verwendung der Vorläuferverbindung
EP1394164
Art B1
12. Oktober 2005
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1394164
- Aktenzeichen
- EP03254830
- Anmeldetag
- 1. August 2003
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2005
- Erteilung
- 12. Oktober 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C07F7/00C01G27/04C01G27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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Kyle, Diana
Sevenoaks, Großbritannien
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