Barriereschicht und Verfahren zur Unterdrückung von Diffusionsvorgängen bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen

EP1394843 Art A3 25. Februar 2009

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1394843
Aktenzeichen: EP03019397
Anmeldetag: 27. August 2003
Veröffentlichung: 25. Februar 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/311H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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