Verfahren zur Herstellung eines universellen Gehäuses für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip
EP1394855
Art B1
19. Dezember 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1394855
- Aktenzeichen
- EP03016642
- Anmeldetag
- 30. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2012
- Erteilung
- 19. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/31H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Schweiger, Martin
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