PIN-Photodiode und Lawinenphotodiode aus Zn1-xMgxSySe1-y auf p-dotierem GaAs Substrat

EP1394863 Art B1 4. Mai 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1394863
Aktenzeichen: EP03019258
Anmeldetag: 26. August 2003
Veröffentlichung: 4. Mai 2011
Erteilung: 4. Mai 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0296H01L31/107H01L31/105H01L31/0352

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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