Dram-Zellenanordnung mit Vertikalen Mos-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung
EP1396026
Art A2
10. März 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1396026
- Aktenzeichen
- EP02740639
- Anmeldetag
- 23. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 10. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Wilhelm, Jürgen
München, Deutschland
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