Halbleiterbaustein zum Einstellen einer durch Kurzkanaleffekte verursachten Schwellspannungsverschiebung
EP1396777
Art B1
4. April 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1396777
- Aktenzeichen
- EP02028136
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 4. April 2007
- Erteilung
- 4. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G05F3/24G05F3/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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