Ferromagnetischer Raumtemperatur-Halbleiter und Plasma unterstützte Molekularstrahlepitaxie wie Verfahren zu seiner Herstellung
EP1396867
Art B1
9. April 2008
Anmelder: Korea Institute of Science and Technology, KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1396867
- Aktenzeichen
- EP03250653
- Anmeldetag
- 31. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 9. April 2008
- Erteilung
- 9. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01F1/40H01F10/193H01F41/30
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Korea Institute of Science and Technology
KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Institute of Science and Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.
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