Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterswafers

EP1396879 Art B1 20. Februar 2008

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1396879
Aktenzeichen
EP02730788
Anmeldetag
30. Mai 2002
Veröffentlichung
20. Februar 2008
Erteilung
20. Februar 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/205
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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