Dotierungsverfahren und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
EP1396880
Art A3
12. Juli 2006
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, NEC Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1396880
- Aktenzeichen
- EP03255534
- Anmeldetag
- 4. September 2003
- Veröffentlichung
- 12. Juli 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/225H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
NEC Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
147 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
19.509 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Smith, Norman Ian
London, Großbritannien
330
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte