Halbleitergehäuse mit vorvernetzten Kunststoffeinbettmassen und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1398828
Art A3
3. März 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1398828
- Aktenzeichen
- EP03017505
- Anmeldetag
- 4. August 2003
- Veröffentlichung
- 3. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/538H01L21/56H01L21/60// H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Schweiger, Martin
München, Deutschland
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