Mikroelektronisches Substrat mit Leitendem Material mit Abgerundeten Öffnungen und Methoden zur Entfernung von Leitenden Material
EP1399957
Art A2
24. März 2004
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1399957
- Aktenzeichen
- EP02746596
- Anmeldetag
- 20. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 24. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L21/3063H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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