Dram-Speicheranordnung mit Vergrabenen Vertikalen Transistoren und Silizierten Bit- und Polysilizium-Leitungen und deren Herstellungsverfahren
EP1402576
Art A2
31. März 2004
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG, IBM United Kingdom Limited 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1402576
- Aktenzeichen
- EP02735647
- Anmeldetag
- 27. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 31. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG
IBM United Kingdom Limited - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
9.753 Patente in unserer Datenbank
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Stretton, Peter John
Winchester, Großbritannien
95
Patente gesamt
6
Fachgebiete
1
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Moss, Robert Douglas
NoneWinchester