Herstellungsverfahren für Siliziumwafer, Herstellungsverfahren für Silizium-Epitaxial-Wafer und Silizium-Epitaxial-Wafer
EP1406294
Art A1
7. April 2004
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1406294
- Aktenzeichen
- EP02726467
- Anmeldetag
- 23. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 7. April 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/322
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank