Halbleiteranordnung mit einem Bipolartransistor und dazugehörige Herstellungsmethode
EP1406306
Art A3
8. Dezember 2004
Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1406306
- Aktenzeichen
- EP03090327
- Anmeldetag
- 1. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 8. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L23/482H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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