SiGeC Heteroübergang-Bipolartransistor

EP1406308 Art A3 13. Oktober 2004

Anmelder: Panasonic Corporation, MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1406308
Aktenzeichen: EP03011764
Anmeldetag: 23. Mai 2003
Veröffentlichung: 13. Oktober 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/161H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Panasonic Corporation
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

36.518 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von