Herstellung eines Rauscharmen Mos-Bauelements
EP1407480
Art A1
14. April 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1407480
- Aktenzeichen
- EP02756043
- Anmeldetag
- 12. Juli 2002
- Veröffentlichung
- 14. April 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Viering, Hans-Martin
München, Deutschland
404
Patente gesamt
34
Fachgebiete
25
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Rosenquist, Per Olof
NoneStockholm