Hochdichte-Plasmaverfahren zum Abscheiden einer Siliziumnitridschicht
EP1408140
Art A1
14. April 2004
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Srl 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1408140
- Aktenzeichen
- EP02425615
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 14. April 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C30/00C23C28/00C23C14/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Srl - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.340 Patente in unserer Datenbank
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
4.265 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bartle, Robin Jonathan
Liverpool, Großbritannien
449
Patente gesamt
29
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
WP Thompson
WP Thompson · Liverpool
-
W.P. Thompson & Co
W.P. Thompson & Co · Liverpool
-
Pezzoli, Ennio
Maccalli & Pezzoli S.r.l. · Milano