Hafniumsilizidtarget zur Bildung eines Gateoxidfilms und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP1408541 Art B1 28. November 2012

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation, Nippon Mining & Metals Co., Ltd., Nikko Materials Co., Ltd., Nikko Materials Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1408541
Aktenzeichen
EP02733313
Anmeldetag
5. Juni 2002
Veröffentlichung
28. November 2012
Erteilung
28. November 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
JX Nippon Mining & Metals Corporation
Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
Nikko Materials Co., Ltd.
Nikko Materials Company, Limited
Land
🇯🇵 Japan

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hoarton, Lloyd Douglas Charles München, Deutschland
1.651
Patente gesamt
34
Fachgebiete
27
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Software & Datenverarbeitung Medizintechnik & Gesundheit Metallurgie & Oberflächentechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen