Integriertes MOS-Halbleiterbauelement mit grosser Leistungsfähigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1408552
Art A1
14. April 2004
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1408552
- Aktenzeichen
- EP02425611
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 14. April 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/423H01L29/06H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Mittler, Enrico
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