Herstellungsverfahren für Dünnfilm-Transistor mit doppelten oder mehrfachen Gates

EP1414062 Art A3 23. April 2008

Anmelder: Samsung Display Co., Ltd., Samsung Mobile Display Co., Ltd., Samsung SDI Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1414062
Aktenzeichen
EP03090360
Anmeldetag
21. Oktober 2003
Veröffentlichung
23. April 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Samsung Display Co., Ltd.
Samsung Mobile Display Co., Ltd.
Samsung SDI Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung Display

Südkoreanisches Tochterunternehmen der Samsung-Gruppe, das Displaypanels wie OLED- und LCD-Bildschirme für Smartphones, Fernseher und weitere Elektronikgeräte entwickelt und herstellt.

5.709 Patente in unserer Datenbank

🇰🇷 Samsung SDI

Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.

1.775 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen