Verfahren zum Parallelen Herstellen eines Mos-Transistors und eines Bipolartransistors
EP1415340
Art B1
16. März 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1415340
- Aktenzeichen
- EP02794499
- Anmeldetag
- 2. Juli 2002
- Veröffentlichung
- 16. März 2005
- Erteilung
- 16. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8249H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schoppe, Fritz
Pullach, Deutschland
2.765
Patente gesamt
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Fachgebiete
23
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing
NoneMünchen