Heteroübergang-Bipolartransistor

EP1416539 Art B1 28. Februar 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1416539
Aktenzeichen: EP03023607
Anmeldetag: 16. Oktober 2003
Veröffentlichung: 28. Februar 2007
Erteilung: 28. Februar 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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