Speicherzelle mit Grabenkondensator und Vertikalem Auswahltransistor und einem zwischen Diesen Geformten Ringförmigen Kontaktierungsbereich
EP1417707
Art A2
12. Mai 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1417707
- Aktenzeichen
- EP02762218
- Anmeldetag
- 12. Juli 2002
- Veröffentlichung
- 12. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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