Bipolartransistoren mit Grabenstruktur
EP1417716
Art B1
4. November 2009
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1417716
- Aktenzeichen
- EP02758689
- Anmeldetag
- 5. August 2002
- Veröffentlichung
- 4. November 2009
- Erteilung
- 4. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L29/08// H01L29/73H01L29/737H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.047 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven
-
Pennings, Johannes
NoneEindhoven
-
Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill