Herstellungsverfahren eines Leistungs-Halbleiterbauelements mit isoliertem Gate und mit Schottky-Diode
EP1420457
Art B1
11. Januar 2012
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1420457
- Aktenzeichen
- EP02425695
- Anmeldetag
- 14. November 2002
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2012
- Erteilung
- 11. Januar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336// H01L27/07H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.334 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pellegri, Alberto
Milano, Italien
253
Patente gesamt
28
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte