Kontaktierung des Emitterkontakts einer Halbleitervorrichtung
EP1421619
Art B1
7. März 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1421619
- Aktenzeichen
- EP02797604
- Anmeldetag
- 21. August 2002
- Veröffentlichung
- 7. März 2012
- Erteilung
- 7. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/528H01L21/768H01L29/417H01L21/8249
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank