Herstellungsverfahren einer Widerstandsstruktur für integrierte Schaltung durch ein CMOS-Herstellungsverfahren
EP1422744
Art A3
6. September 2006
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INC., Texas Instruments Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1422744
- Aktenzeichen
- EP03104321
- Anmeldetag
- 21. November 2003
- Veröffentlichung
- 6. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02// H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TEXAS INSTRUMENTS INC.
Texas Instruments Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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