Substrat mit lokalisierter einkristalliner Galliumnitridschicht und entsprechendes Herstellungsverfahren

EP1422746 Art A2 26. Mai 2004

Anmelder: OSAKA PREFECTURE, Hosiden Corporation, Osaka Prefecture, HOSIDEN CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1422746
Aktenzeichen
EP03257408
Anmeldetag
24. November 2003
Veröffentlichung
26. Mai 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
OSAKA PREFECTURE
Hosiden Corporation
Osaka Prefecture
HOSIDEN CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hosiden

Hosiden ist ein japanischer Hersteller von elektronischen Steckverbindern, Sensoren und Wandlerkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Nachrichtentechnik, ergänzt durch Software und Optik für Verbindungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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