Substrat mit lokalisierter einkristalliner Galliumnitridschicht und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1422746
Art A2
26. Mai 2004
Anmelder: OSAKA PREFECTURE, Hosiden Corporation, Osaka Prefecture, HOSIDEN CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1422746
- Aktenzeichen
- EP03257408
- Anmeldetag
- 24. November 2003
- Veröffentlichung
- 26. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSAKA PREFECTURE
Hosiden Corporation
Osaka Prefecture
HOSIDEN CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hosiden
Hosiden ist ein japanischer Hersteller von elektronischen Steckverbindern, Sensoren und Wandlerkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Nachrichtentechnik, ergänzt durch Software und Optik für Verbindungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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