Herstellungsverfahren für Gatterelektroden mit doppelter Austrittsarbeit unter Verwendung von dotiertem Polysilizium und einer Metall-Silizium-Germanium Verbindung
EP1422755
Art B1
16. Januar 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1422755
- Aktenzeichen
- EP03104320
- Anmeldetag
- 21. November 2003
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2008
- Erteilung
- 16. Januar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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