Verfahren zur Bildung eines Soi-Substrats, Vertikaler Transistor und Speicherzelle mit Vertikalem Transistor

EP1425796 Art A2 9. Juni 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1425796
Aktenzeichen: EP02754539
Anmeldetag: 19. August 2002
Veröffentlichung: 9. Juni 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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