Elektronische Vorrichtung mit einer Mesoporösen Siliciumdioxidschicht und Zusammensetzung zum Herstellen einer Mesoporösen Siliciumdioxidschicht
EP1427671
Art A1
16. Juni 2004
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1427671
- Aktenzeichen
- EP02755578
- Anmeldetag
- 12. September 2002
- Veröffentlichung
- 16. Juni 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01B37/02H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
42.507 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven
-
Pennings, Johannes
NoneEindhoven
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven