Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Gate-Dielektrikum mit Hohem K
EP1428252
Art B1
24. September 2014
Anmelder: Intel Corporation, INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1428252
- Aktenzeichen
- EP03756198
- Anmeldetag
- 22. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 24. September 2014
- Erteilung
- 24. September 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/51H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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Goddar, Heinz J., Dr
NoneMünchen