Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials

EP1429381 Art B1 6. Juli 2011

Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commisariat à l'énergie Atomique 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1429381
Aktenzeichen
EP03292888
Anmeldetag
20. November 2003
Veröffentlichung
6. Juli 2011
Erteilung
6. Juli 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commisariat à l'énergie Atomique
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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